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      1. <dl id="LDEXJ6"></dl>

        1. 產品展(zhan)示(shi)PRODUCTS

          您(nin)當(dang)前的位(wei)置:首(shou)頁 > 產品展(zhan)示(shi) > 植物(wu)類(lei) > 植物(wu)根系(xi)動(dong)態與根系(xi)呼(hu)吸 > SoilTron-RhizoSoilTron-Rhizo根系(xi)生(sheng)態(tai)觀(guan)測(ce)蒸滲(shen)儀(yi)
          SoilTron-Rhizo根(gen)系(xi)生(sheng)態(tai)觀(guan)測(ce)蒸滲(shen)儀(yi)
          更(geng)新(xin)時(shi)間:2025-07-01
          訪問(wen)次數(shu):5930
          對根系(xi)進行三(san)維動(dong)態觀(guan)測(ce)分析(xi),結合(he)蒸滲(shen)儀(yi)土壤(rang)剖(pou)面(mian)水分、溫(wen)度(du)等監測技術(shu),可以(yi)全面(mian)分析(xi)根系(xi)時空(kong)動(dong)態及(ji)其影(ying)響因(yin)子(zi)、脅(xie)迫(po)響應(ying)等,成(cheng)為地下生(sheng)態(tai)學(xue)、根(gen)際生(sheng)態(tai)學(xue)等(deng)研究的重要手(shou)段。

           

           

          SoilTron-Rhizo根系(xi)生(sheng)態(tai)觀(guan)測(ce)蒸滲(shen)儀(yi)

           

           

          根(gen)系(xi)是根(gen)際生(sheng)態(tai)學(xue)的(de)主要研(yan)究(jiu)對象,也(ye)是(shi)地下生(sheng)態(tai)學(xue)的(de)關鍵(jian)要素(su)。根(gen)系(xi)研究(jiu)主要采用微根(gen)窗技術(shu)(MiniRhizotron),特(te)別(bie)是(shi)美(mei)國Bartz公(gong)司生(sheng)產(chan)的(de)BTC微根(gen)窗根系(xi)觀測(ce)系(xi)統(tong),成(cheng)為(wei)微根(gen)窗技術(shu)研究(jiu)根系(xi)的經(jing)典儀(yi)器(qi)設(she)備(bei)(The most commonly used MR(Minrhizotron) systems are produced by Bartz Technology Corporation”——引自(zi)Eshel, A. &Beeckman, T. Plant Roots: The Hidden half. 4th edition. CRC Press, New York,USA. 2013)。單純采用微根(gen)窗技術(shu)研究(jiu)植物根(gen)系(xi)時,透(tou)明維(wei)根管(guan)壹(yi)般(ban)采用縱向(xiang)(壹(yi)般(ban)成(cheng)45度角度)插入土壤(rang)剖(pou)面(mian)的辦(ban)法(fa),這(zhe)種縱向(xiang)安(an)插法容(rong)易造成根(gen)系(xi)沿維(wei)根管(guan)生(sheng)長(chang),從(cong)而(er)造成誤(wu)差(cha)。通(tong)過與蒸滲(shen)儀(yi)技術(shu)結合(he),維(wei)根(gen)管(guan)可(ke)以(yi)水(shui)平安(an)裝——相(xiang)當(dang)於(yu)在土壤(rang)剖(pou)面(mian)不同深(shen)度設(she)置壹(yi)個(ge)根系(xi)觀測(ce)樣帶(dai),不僅(jin)可以避(bi)免縱向(xiang)安(an)裝造成的(de)偏(pian)差(cha),還可以(yi)對根系(xi)進行三(san)維動(dong)態觀(guan)測(ce)分析(xi),結合(he)蒸滲(shen)儀(yi)土壤(rang)剖(pou)面(mian)水分、溫(wen)度(du)等監測技術(shu),可以(yi)全面(mian)分析(xi)根系(xi)時空(kong)動(dong)態及(ji)其影(ying)響因(yin)子(zi)、脅(xie)迫(po)響應(ying)等,成(cheng)為地下生(sheng)態(tai)學(xue)、根(gen)際生(sheng)態(tai)學(xue)等(deng)研究的重要手(shou)段。

           

          查爾斯特(te)大(da)學(xue)根系(xi)蒸滲(shen)儀(yi)站(zhan),右圖為不同深(shen)度根(gen)系(xi)生(sheng)長(chang)情(qing)況

           

           

          SoilTron-Rhizo根(gen)系(xi)生(sheng)態(tai)觀(guan)測(ce)蒸滲(shen)儀(yi)全面(mian)吸收了德國蒸滲(shen)儀(yi)技術(shu)和美(mei)國微根(gen)窗技術(shu),系(xi)統(tong)由(you)SoilTron主體結(jie)構(gou)(標(biao)準配置有(you)Rhizo-50和Rhizo-80兩(liang)種(zhong)型(xing)號,直徑分別(bie)為(wei)1250px和2000px)、微根(gen)窗根系(xi)成像(xiang)觀測(ce)單元(yuan)、傳感(gan)器及(ji)數(shu)據采集(ji)系(xi)統(tong)組(zu)成(cheng),傳(chuan)感(gan)器及(ji)數(shu)據采集(ji)系(xi)統(tong)由(you)歐(ou)洲(zhou)生(sheng)產(chan),微根(gen)管(guan)成(cheng)像(xiang)系(xi)統(tong)由(you)美(mei)國生(sheng)產(chan)。

           

          系(xi)統(tong)主要技術(shu)特(te)點及(ji)性能指標(biao)如(ru)下(xia):

             1.蒸滲(shen)儀(yi)主體由(you)Rhizo-50和Rhizo-80兩(liang)種(zhong)規(gui)格(ge)型(xing)號供選配:Rhizo-50底(di)面積50000px2,標(biao)配(pei)高(gao)度(du)2500px,蒸滲(shen)儀(yi)不銹鋼(gang)柱(zhu)體(ti)厚度3mm;Rhizo-80底(di)面積5000 cm2(直徑2000px),標配(pei)高(gao)度(du)3750px選配,蒸滲(shen)儀(yi)不銹鋼(gang)柱(zhu)體(ti)厚度4mm

             2.Rhizo-50標(biao)準配置4層維根(gen)管(guan)根(gen)系(xi)觀測(ce),及(ji)相應(ying)4層土壤(rang)水(shui)分和土壤(rang)溫(wen)度(du)監測;Rihzo-80標準配置5層維根(gen)管(guan)根(gen)系(xi)觀測(ce),及(ji)相應(ying)5層土壤(rang)水(shui)分和土壤(rang)溫(wen)度(du)監測;可選(xuan)配(pei)土壤(rang)張(zhang)力(li)計(ji)監(jian)測(ce)

             3.TRIME PICO 32智能土壤(rang)水(shui)分溫(wen)度(du)傳感(gan)器:

              a.TDR技術(shu),高(gao)精度、高(gao)穩(wen)定

              b.測(ce)量(liang)範(fan)圍(wei)0-100%體(ti)積(ji)含水(shui)量(liang),測(ce)量體積(ji)250ml

              c.測量(liang)精度:0-40%體(ti)積(ji)含水(shui)率(lv)±1%,40-70%體積含水(shui)率(lv)±2%

              d. 測量重復(fu)精度 0-40%體(ti)積(ji)含水(shui)率(lv)±0.2%,40-70%體積含水(shui)率(lv)±0.3%

              e.土壤(rang)溫(wen)度(du)測量範圍(wei):-15℃-50℃(可(ke)定制(zhi)其他(ta)溫(wen)度(du)量程(cheng),或(huo)選配-30-50℃溫(wen)度(du)傳感(gan)器),精度±0.2℃

              f. 防(fang)護(hu)等級:IP68

             4.微根(gen)窗根系(xi)成像(xiang)觀測(ce)系(xi)統(tong):

              a.標準配置測(ce)管(guan)長(chang)度(du)22”(用於(yu)Rhizo-50)或(huo)28”(用於(yu)Rhizo-80)

              b.微根(gen)管(guan)鏡內置數(shu)碼攝像(xiang)鏡頭(tou),圖(tu)像(xiang)傳感(gan)器為SuperHAD II 1/3-type IT CCD靈(ling)敏度2000 lx at F1.4 AGC: 0dB視野(ye)FOV 55°,帶(dai)360°視(shi)野可旋(xuan)轉(zhuan)鏡管(guan);可(ke)充(chong)電(dian)式(shi)光纖(xian)照(zhao)明

           

              c.圖(tu)像(xiang)有效像(xiang)素H x V768 x 494 pixels525線(xian),30幀(zhen)/秒(miao)

          5.  標(biao)配(pei)RootFly微根(gen)窗專業(ye)根(gen)系(xi)分析(xi)軟件(jian)分析(xi)微根(gen)窗圖片(pian)中根(gen)系(xi)的長(chang)度、直徑、根系(xi)顏色(se)、根(gen)系(xi)生(sheng)長(chang)率(lv)和死亡率(lv)等;可選(xuan)配WinRhizo根(gen)系(xi)分析(xi)軟件(jian)

          6.  可選(xuan)配(pei)BTC-100根系(xi)觀測(ce)系(xi)統(tong),具(ju)備(bei)15100倍放大(da)功能和精確(que)定位(wei)手(shou)柄(bing)等(deng)(具(ju)體參(can)數(shu)指標(biao)參(can)見(jian)相(xiang)關資料)

          7.  16通(tong)道數(shu)據采集(ji)器(可(ke)選(xuan)配32通(tong)道),16比特(te)分辨率(lv),± 20 mV 至 ± 2.5 V 8範(fan)圍(wei)輸入,精確(que)度(du)0.03%,可(ke)存儲(chu)220000組帶(dai)時(shi)間戳(chuo)的數(shu)據(數(shu)據可(ke)存儲(chu)1年以上(shang)),測(ce)量間隔3秒(miao)至4小時(shi)可調,數(shu)據平均(jun)間隔3秒(miao)至4小時(shi),支持GSM/GPRS/Internet遠(yuan)程(cheng)數(shu)據傳(chuan)輸,電(dian)壓6.5-15VDC,待機(ji)耗電150μA,測(ce)量(liang)耗電15mA,3V鋰電(dian)備(bei)用電(dian)池(chi)可(ke)使用5年以上(shang),工作溫(wen)度(du)­-20-60°C;

              8.專業(ye)數(shu)據下(xia)載分析(xi)軟件(jian),可進行數(shu)據下(xia)載、數(shu)據在(zai)線(xian)觀測(ce)、柱(zhu)狀(zhuang)圖(tu)、數(shu)據修復、統(tong)計(ji)分析(xi)(如每(mei)小時(shi)平均(jun)、每(mei)日平均(jun)、總計(ji)、zui小(xiao)值(zhi)、zui大(da)值(zhi)、數(shu)據相(xiang)關分析(xi)、回(hui)歸分析(xi))與圖表展(zhan)示(shi)及(ji)系(xi)統(tong)設(she)置等(deng);

               9.GPRS無(wu)線(xian)數(shu)據傳(chuan)輸功能,打(da)開(kai)專(zhuan)業軟件(jian)界面(mian)後(hou),只要連接(jie)上(shang)網即可(ke)隨時下(xia)載瀏覽(lan)數(shu)據;

             10.滲(shen)漏水監測(ce)與抽樣(選(xuan)配):100ml翻(fan)鬥(dou),滲(shen)漏水抽樣優(you)先,每(mei)翻(fan)鬥(dou)1%250ml PE采樣(yang)瓶(ping),REED傳感(gan)器,zui大(da)流量5000ml/min

           

          產地:

          傳(chuan)感(gan)器及(ji)數(shu)據采集(ji)系(xi)統(tong)歐(ou)洲(zhou)生(sheng)產(chan),維(wei)根(gen)管(guan)成(cheng)像(xiang)觀(guan)測系(xi)統(tong)美(mei)國生(sheng)產(chan),國內集(ji)成(cheng)

           

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